1．判定栅极G、2．判定源极S、漏极D、3．测量漏-源通态电阻RDS（on）、4．检查跨导
分类：产品知识 日期：2024-09-19 浏览：360 查看 »
将万用表拨到R×1k档，分别测量A-GA、GA-GK、GK -之间的正、反向电阻。
分类：产品知识 日期：2024-09-19 浏览：337 查看 »
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
分类：产品知识 日期：2024-09-19 浏览：320 查看 »
适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况。
分类：产品知识 日期：2024-09-19 浏览：311 查看 »
主要是各极的半导体类型不同，PNP管的E、B、C三极分别是P型、N型、P型半导体，NPN管正好相反。
分类：产品知识 日期：2024-09-19 浏览：371 查看 »
MOS管被击穿的原因及解决方案如下
分类：产品知识 日期：2024-09-19 浏览：344 查看 »
在实际项目中，我们基本都用增强型。
分类：产品知识 日期：2024-09-19 浏览：339 查看 »
正常工作时，P沟道增强型MOS管的衬底必需与源极相连，而漏心极的电压Vds应为负值，以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏，同时为了在衬底顶表面左近构成导电沟道，栅极对源极的电压Vgs也应为负。
分类：产品知识 日期：2024-09-19 浏览：384 查看 »
1、电路设计的问题；2、频率太高；3、没有做好足够的散热设计；4、MOS管的选型有误
分类：产品知识 日期：2024-09-19 浏览：423 查看 »
